微波暗室的性能指標主要由靜區的特征來表征。靜區的特性又以靜區的大小、靜區內(nei) 的大反射電平、交叉化度、場均勻性、路徑損耗、固有雷達截麵、工作頻率範圍等指標來描述。影響微波暗室性能指標的因素是多元化的，也是很複雜的，在利用光線發射法和能量物理法則對暗室性能進行仿真計算時，需要考慮電波的傳(chuan) 輸去耦，化去耦，標準天線的方向圖因素，吸收材料本身的垂直入射性能和斜入射性能，多次反射等影響。但在實際的工程設計過程中，往往以吸收材料的性能作為(wei) 暗室性能的關(guan) 鍵決(jue) 定因素。

1)交叉化度：由於(yu) 暗室結構的不嚴(yan) 格對稱、吸收材料對各種化波吸收的不一致性以及暗室測試係統等因素使電波在暗室傳(chuan) 播過程中產(chan) 生化不純的現象。如果待測試天線與(yu) 發射天線的化麵正交和平行時，所測試場強之比小於(yu) -25dB，就認為(wei) 交叉化度滿足要求。

2)多路徑損耗：路徑損耗不均勻會(hui) 使電磁波的化麵旋轉，如果以來波方向旋轉待測試天線，接收信號的起伏不超過+-0.25 dB，就可忽略多路徑損耗。

3)場均勻性：在暗室靜區，沿軸移動待測試天線，要求起伏不超+-2dB；在靜區的截麵上，橫向和上下移動待測天線，要求接收信號起伏不超過+-0.25 dB。

天線測量的誤差

1)有限測試距離所引起的誤差

設待測的是平麵天線,接收的來波沿其主波束的軸向.若測試距離大小,由待測天線之不同部位所接受的場不能相同,因此具有平方根律相位差。若待測天線恰位於(yu) 源天線遠場區的邊界2D2/λ,其口徑邊緣與(yu) 相位中心的場存在22.5度的相位差.若測試距離加倍,在相位差減半。

對於(yu) 測量中等旁瓣電平的天線,距離2D2/λ通常已經足夠,測出的增益約偏小0.06dB.測試距離縮短會(hui) 使測量誤差迅速增大,旁瓣會(hui) 與(yu) 主波束合並成肩台式,甚至合為(wei) 一體(ti) .通常0.25dB的錐銷使測出的增益降低約為(wei) 0.1 dB,並造成近旁瓣的些許誤差。

反射

直射波受從(cong) 周圍物體(ti) 反射的幹涉,在測試區域形成場的變化,由於(yu) 該波波程差作為(wei) 位置的函數而迅速變化,使起伏的長度屬於(yu) 波長的數量級..例如比直射波低20 dB的反射波,可引起-0.92～+0.83 dB的功率誤差.，具體(ti) 取決(jue) 於(yu) 兩(liang) 種之間的差異；相位測量的誤差範圍為(wei) ±5.7°。但若反射波的場比直射波低40dB，則側(ce) 出的幅度與(yu) 相位分別少有±0.09與(yu) ±0.6°的誤差。

反射在低旁瓣的測量中特別有害.一項很小的反射通過主瓣耦合到待測天線,可以完全掩蓋住耦合到旁瓣的直射波.如果相耦合的直射和反射波強度相等,則測出的旁瓣電平會(hui) 抬高6 dB左右,或者在測得的波瓣圖中成為(wei) 零點。

誤差

還可能導致天線測量產(chan) 生誤差的因素有：

低頻時與(yu) 電抗近場的耦合可能比較顯著，測量天線的對準誤差，其他幹擾信號，測試電纜所引起的誤差等。

如果要想提高微波暗室實際使用效果以及性能要素，就得充分考慮那些會(hui) 影響到其性能指標的因素，畢竟有些因素是無法避免的，隻能盡量克服它們(men) ，從(cong) 而使微波暗室展現出較好的性能。