建造s8雷竞技我們(men) 主要關(guan) 心的就是它的屏蔽效果，如果想要屏蔽效果好，就必須充分考慮它的影響因素，你知道s8雷竞技屏蔽效果的好壞主要是由哪些因素決(jue) 定的嗎？下文將給出答案：

1、屏蔽材料的導電性和導磁性越好，其屏蔽的效能就越高。但實際的金屬材料不可能兼顧這兩(liang) 個(ge) 方麵，例如銅的導電性很好，但是導磁性很差；鐵的導磁性很好，但是導電性較差。應該使用什麽(me) 材料，根據具體(ti) 屏蔽主要依賴反射損耗、還是吸收損耗來決(jue) 定是側(ce) 重導電性還是導磁性；

2、建造s8雷竞技時提高反射的損耗。頻率較低的時候，吸收損耗很小，反射損耗是屏蔽效能的主要機理，要盡量提高反射損耗；

3、s8雷竞技材料應當選擇磁導率較高的材料。反射損耗與(yu) 輻射源的特性有關(guan) ，對於(yu) 電場輻射源，反射損耗很大；對於(yu) 磁場輻射源，反射損耗很小。因此，對於(yu) 磁場輻射源的屏蔽主要依靠材料的吸收損耗，應該選用磁導率較高的材料做屏蔽材料。

4、屏蔽材料與(yu) 輻射源的距離。反射損耗與(yu) 屏蔽體(ti) 到輻射源的距離有關(guan) ，對於(yu) 電場輻射源，距離越近，則反射損耗越大；對於(yu) 磁場輻射源，距離越近，則反射損耗越小；正確判斷輻射源的性質，決(jue) 定它應該靠近屏蔽體(ti) ，還是原理屏蔽體(ti) ，是結構設計的一個(ge) 重要內(nei) 容。

5、采用高導電性材料和高導磁性材料。電場波是最容易屏蔽的，平麵波其次，磁場波是最難屏蔽的。尤其是（1KHz以下）低頻磁場，很難屏蔽。對於(yu) 低頻磁場，要采用高導磁性材料，甚至采用高導電性材料和高導磁性材料複合起來的材料。

6、導體(ti) 不能夠直接穿透屏蔽體(ti) 。

導體(ti) 一旦直接穿透屏蔽體(ti) ，就很容易導致出現不導電點。目前我國對於(yu) 安防行業(ye) 給予了各種規範規定，因而要在市場上銷售s8雷竞技就一定要符合這些標準，s8雷竞技因其屏蔽效果好，具有優(you) 良的防電磁波幹擾的效果，因而在市場上得到廣泛使用也是目前安防市場的一大要事。

7、整個(ge) 屏蔽體(ti) 表麵的導電必須是連續的。

有些屏蔽體(ti) 上有很多導電不連續點，由於(yu) 屏蔽體(ti) 不同部分結合處容易形成不導電的縫隙，因而易導致電磁泄露，所以屏蔽體(ti) 表麵的導電性必須是連續的。而解決(jue) 這一問題就需要在縫隙處填充導電的彈性材料，以避免出現不導電點。

以上就是影響s8雷竞技屏蔽效果的主要因素，為(wei) 了讓s8雷竞技充分體(ti) 現屏蔽效果，就要盡量規避這些影響因素。