電磁屏蔽機房具體(ti) 可分為(wei) 四大類：

1.靜電屏蔽用完整的金屬屏蔽體(ti) 將帶正電導體(ti) 包圍起來，在屏蔽體(ti) 的內(nei) 側(ce) 將感應出與(yu) 帶電導體(ti) 等量的負電荷，外側(ce) 出現與(yu) 帶電導體(ti) 等量的正電荷，如果將金屬屏蔽體(ti) 接地，則外側(ce) 的正電荷將流入大地，外側(ce) 將不會(hui) 有電場存在，即帶正電導體(ti) 的電場被屏蔽在金屬屏蔽體(ti) 內(nei) 。 

2. 交變電場屏蔽為(wei) 降低交變電場對敏感電路的耦合幹擾電壓，可以在幹擾源和敏感電路之間設置導電性好的金屬屏蔽體(ti) ，並將金屬屏蔽體(ti) 接地。交變電場對敏感電路的耦合幹擾電壓大小取決(jue) 於(yu) 交變電場電壓、耦合電容和金屬屏蔽體(ti) 接地電阻之積。隻要設法使金屬屏蔽體(ti) 良好接地，就能使交變電場對敏感電路的耦合幹擾電壓變得很小。電場屏蔽以反射為(wei) 主，因此屏蔽體(ti) 的厚度不必過大，而以結構強度為(wei) 主要考慮因素。

3. 交變磁場屏蔽交變磁場屏蔽有高頻和低頻之分。低頻磁場屏蔽是利用高磁導率的材料構成低磁阻通路，使大部分磁場被集中在屏蔽體(ti) 內(nei) 。屏蔽體(ti) 的磁導率越高，厚度越大，磁阻越小，磁場屏蔽的效果越好。當然要與(yu) 設備的重量相協調。高頻磁場的屏蔽是利用高電導率的材料產(chan) 生的渦流的反向磁場來抵消幹擾磁場而實現的。

4. 交變電磁場屏蔽一般采用電導率高的材料作屏蔽體(ti) ，並將屏蔽體(ti) 接地。它是利用屏蔽體(ti) 在高頻磁場的作用下產(chan) 生反方向的渦流磁場與(yu) 原磁場抵消而削弱高頻磁場的幹擾，又因屏蔽體(ti) 接地而實現電場屏蔽。屏蔽體(ti) 的厚度不必過大，而以趨膚深度和結構強度為(wei) 主要考慮因素。